結果顯示，scb10干式變壓器t1的飽和度與主反激運轉的一次繞組電阻和二次繞組相關。T1內置可以產生一個電源ic的電源VCC的第三繞阻(引腳4、5)，有關法律這點，須另行開展檢查工作是否如設計般產生VCC。
*先回憶一下scb10干式變壓器的飽和度。scb10干式變壓器所使用的帶磁納米材料(鐵、鐵氧體等)，具有市場飽和磁通密度的特點。隨著流入scb10干式變壓器初級繞組的電流增加，磁場強度會增加，磁通密度不會無休止地提升。在符合飽和點以后，磁束密度基本不會回應于電流的的增加提升。此種發展狀況可以稱為一個飽和磁化，這時的磁通密度就是飽和磁通密度。
超出飽和點后飽和磁化狀態稱為scb10干式變壓器飽和。對此，與電感開展相同。scb10干式變壓器的飽和，除了我們不會得到提高磁通密度外，電感值反倒會急劇增加降低。
當電感值減小時，電阻測量僅為scb10干式變壓器繞阻的電阻。也就是說，scb10干式變壓器開展飽和后將流過大造成電流。這便是電源設計里出現scb10干式變壓器飽和難題的原因。對此，與電感相同。
右側的波形信息是scb10干式變壓器的把一次側內置MOSFET的Ids開展工作開關，綠色線為正常，即scb10干式變壓器未飽和。相較于此，紅色斜線也表示scb10干式變壓器飽和時的典型波形。
如同一個以上，scb10干式變壓器一但飽和，將流過大產生電流，造成Ids產生變化峰值電流，也就是通過電流急劇發展提高。當電流過大時，可能會損壞MOSFET。
scb10干式變壓器設計時，計算一次側的主要工作電流Ippk，以進行一些適合的scb10干式變壓器結構設計，注意到像以上波形數據般的Ids電流信號波型時，就需要通過從頭開始展開分析scb10干式變壓器系統設計。scb10干式變壓器設計相關知識請參閱這里。
